㈠ 小學生·怎麼學習最基本的電子技術基礎知識
喜歡拆東西，只是好奇而已，最好確定他是不是真的喜歡電子方面，可以先看初中物理學習基礎，高中物理電學，然後是電路基礎，模擬電路技術基礎，數字電路技術基礎，高頻電路等等.....
㈡ 小學生簡單科技小製作~急。關於電路的。
買個太陽能光伏電池，5V就行，買個LED雙色管，一個單刀三擲開關，連接線路，光照，轉換開關可有三種光亮。遮住太陽，燈不亮
㈢ 小學生有必要學電子百拼電路圖
小學生學電子百拼電路圖，作為學生科技啟蒙和興趣培養是一個很好的方案，但要因孩子的興趣而異，不可千」人「一律。
㈣ 求解（關於半導體的）(小學生也可以弄的）
半導體
什麼是半導體呢？
顧名思義：導電性能介於導體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconctor）．
物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與金屬和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。
半導體的發現實際上可以追溯到很久以前，
1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。不久，
1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。
半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績——四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。
半導體於室溫時電導率約在10ˉ10～10000/Ω·cm之間，純凈的半導體溫度升高時電導率按指數上升。半導體材料有很多種，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的有機物半導體等。
本徵半導體(intrinsic semiconctor) 沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。在絕對零度溫度下，半導體的價帶(valence band)是滿帶(見能帶理論)，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶(forbidden band/band gap)進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶(conction band)，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴(hole)，導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子 - 空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子(free carrier)，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，使電子-空穴對消失，稱為復合(recombination)。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子 - 空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。
雜質半導體(extrinsic semiconctor) 半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為n型半導體和p型半導體。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。能提供電子載流子的雜質稱為施主(donor)雜質，相應能級稱為施主能級,位於禁帶上方靠近導帶底附近。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價鍵，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫淺能級-施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多，很易激發到導帶成為電子載流子，因此對於摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是被激發到導帶中的電子，屬電子導電型，稱為n型半導體。由於半導體中總是存在本徵激發的電子空穴對，所以在n型半導體中電子是多數載流子，空穴是少數載流子。相應地，能提供空穴載流子的雜質稱為受主(acceptor)雜質，相應能級稱為受主能級，位於禁帶下方靠近價帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是受主能級。由於受主能級靠近價帶頂，價帶中的電子很容易激發到受主能級上填補這個空位，使受主雜質原子成為負電中心。同時價帶中由於電離出一個電子而留下一個空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本徵半導體情形下產生電子空穴對要小得多。因此這時空穴是多數載流子，雜質半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為p型半導體。在p型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。
編輯詞條
開放分類：
技術、電子、半導體物理
參考資料：
1.Introction to Solid State Physics - by Charles Kittle
半導體應用：
硅是集成電路產業的基礎，半導體材料中98％是硅，半導體硅工業產品包括多晶硅、單晶硅（直拉和區熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅單晶廣泛應用於集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用於大功率半導體器件，比如整流二極體，硅可控整流器，大功率晶體管等。單晶硅和多晶硅應用最廣。
中彰國際（SINOSI）是一家致力於尖端科技、開拓創新的公司。中彰國際（SINOSI）能夠規模生產和大批量供應單晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉拋光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和區熔NTD磨片並且可以按照國內、外客戶的要求提供非標產品。
單晶硅
單晶硅主要有直拉和區熔
區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ4〃。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。
各項參數可按客戶要求生產。
多晶硅
區熔用多晶硅：可生產直徑Φ40mm－Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各項參數可按客戶要求生產。
切磨片
切磨片可生產直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數符合並優於國家現行標准，並可按客戶要求生產。
拋光片
拋光片可生產直徑范圍為：Φ2〃- Φ6〃，厚度公差、總厚度公差、翹曲度、平整度、電阻率等參數符合並優於國家現行標准，並可按客戶要求生產。
高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求99.999％。單晶硅太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構和生產工藝已定型，產品已廣泛用於空間和地面。為了降低生產成本，現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經過復拉製成太陽電池專用的單晶硅棒。
單晶硅是轉化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領域，太空梭、宇宙飛船、人造衛星的製造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。
在科學技術飛速發展的今天，利用單晶硅所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。現在，國外的太陽能光伏電站已經到了理論成熟階段，正在向實際應用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。
直拉硅單晶廣泛應用於集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前主要用於大功率半導體器件，比如整流二極體，硅可控整流器，大功率晶體管等。
區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃- Φ4〃。
直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。
硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用於微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為矽片引起的第一次革命。區熔單晶硅是利用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途主要包括以下幾個方面。
1、製作電力電子器件
電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為「矽片引起的第二次革命」，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅製作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件——功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(PIC)等，廣泛應用於高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。製作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。
2、製作高效率太陽能光伏電池
太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也於2005年3月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從1998—2004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速增長的態勢，年平均增長速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的增長速度。
晶體硅是目前應用最成熟，最廣泛的太陽能電池材料，佔光伏產業的85%以上。美國SunPower公司最近開發出利用區熔硅製作太陽能電池技術，其產業化規模光電轉換效率達到20%，為目前產業化最高水平，其綜合性價比超過直拉單晶硅太陽能電池（光電轉換效率為15%）和多晶硅太陽能電池（光電轉換效率為12%）。這項新技術將會極大地擴展區熔硅單晶的市場空間。據估計，到2010年，其總的市場規模到將達到電力電子需求規模，這是本項目新的市場機會。
3、製作射頻器件和微電子機械繫統（MEMS）
區熔單晶還可以用來製作部分分立器件。另外採用高阻區熔硅製造微波單片集成電路（MMIC）以及微電子機械繫統（MEMS）等高端微電子器件，被廣泛應用於微波通訊、雷達、導航、測控、醫學等領域，顯示出巨大的應用前景。這也是區熔單晶的又一個新興的市場機會。
4、製作各種探測器、感測器，遠紅外窗口
探測器、感測器是工業自動化的關鍵元器件，被廣泛應用於光探測、光纖通訊、工業自動化控制系統中以及醫療、軍事、電訊、工業自動化等領域。高純的區熔硅單晶是製作各種探測器、感測器的關鍵原材料，其市場增長趨勢也很明顯。
圖片參考：
http://www.sinosi.com/chinese/Procts%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conctor%20Silicon.htm
http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214
㈤ 小學科學簡單電路的實驗一個電池能讓燈泡發光嗎
可以，用導線連接電池兩端中間一定要接燈泡，不然會出現短路
㈥ 我是小學生，想自學電路怎麼辦
首先讓家裡人給你買一本，相關的入門電路原理知識的書籍。自己去圖書館看，借也行。或者自己網上購買。先買電動玩具之內的，自己拆開學習。等大點在慢慢擴展電路知識。首先要保證自己的安全情況下去做。
㈦ 小學生用的電子計算器一般由（）、（）、（）、（）及內部電路等幾部分構成
機殼、電池、鍵盤、顯示屏。